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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
30
左右 17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.6
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.0
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
30
读取速度,GB/s
12.6
10.9
写入速度,GB/s
7.2
10.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
2587
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
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Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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