RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
66
Rund um -136% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
16.2
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2429
3562
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link