RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
26
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
13.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1677
3222
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB RAM-Vergleiche
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link