A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB

Gesamtnote
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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    26 left arrow 28
    Rund um 7% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.2 left arrow 10.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.5 left arrow 6.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 10600
    Rund um 1.21 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    26 left arrow 28
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.2 left arrow 10.7
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.5 left arrow 6.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1677 left arrow 1720
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