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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Gesamtnote
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
58
Rund um 55% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.5
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
58
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
9.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1677
1998
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
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Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
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