RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
40
Rund um -67% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.3
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.3
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
13.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1654
3009
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kllisre 0000 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link