RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
40
Rund um -33% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.1
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.3
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
14.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1654
3373
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link