RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
40
Rund um -122% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.5
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.3
20.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
16.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1654
3564
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology C 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link