RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
94
Rund um -194% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
1,165.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
94
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,882.0
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,165.4
12.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
305
3279
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link