RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
94
Rund um -141% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14
1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
1,165.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
94
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,882.0
14.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,165.4
9.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
305
2221
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link