RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
94
Rund um -194% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
1,165.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
94
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,882.0
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,165.4
13.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
305
3278
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link