RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
94
Rund um -292% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12
1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.6
1,165.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
94
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,882.0
12.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,165.4
6.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
305
1433
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link