RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
94
Rund um -248% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.5
1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
1,165.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
94
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,882.0
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,165.4
13.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
305
3061
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link