RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
94
Rund um -213% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.7
1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
1,165.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
94
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,882.0
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,165.4
12.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
305
2947
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link