RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
48
94
Rund um -96% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
1,165.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
94
48
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,882.0
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,165.4
8.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
305
2196
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link