RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gesamtnote
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
77
94
Rund um -22% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.9
1,165.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
94
77
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,882.0
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,165.4
6.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
305
1549
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link