RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
94
Rund um -194% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
1,165.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
94
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,882.0
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,165.4
10.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
305
2240
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link