RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
48
Rund um 44% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
48
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
13.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2181
2852
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link