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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
55
Rund um 51% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
55
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
21.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
11.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2181
2457
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
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