RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
37
Rund um 27% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
12.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2181
2973
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link