RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
32
Rund um 19% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
4.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.6
15.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1560
3579
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link