RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
26
Rund um -4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.3
4.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.6
18.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1560
3731
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link