RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
86
Rund um 70% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.7
4.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
86
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
12.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.6
5.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1560
1220
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Kingston 9905471-054.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link