A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Gesamtnote
star star star star star
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

Gesamtnote
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    26 left arrow 31
    Rund um 16% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.5 left arrow 9.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.4 left arrow 4.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 12800
    Rund um 1.5 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    26 left arrow 31
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    9.8 left arrow 12.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    4.6 left arrow 9.4
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1560 left arrow 2361
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche