RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
26
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
14
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.0
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
12.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2330
3135
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB RAM-Vergleiche
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link