RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
26
Rund um -24% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
14
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.0
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
13.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2330
3034
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB RAM-Vergleiche
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link