RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
28
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.6
14
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.0
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
15.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2330
3519
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB RAM-Vergleiche
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link