RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gesamtnote
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
30
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
14
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.0
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
11.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2330
2494
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB RAM-Vergleiche
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link