RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gesamtnote
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
64
Rund um 59% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
14
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
64
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.0
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
9.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2330
2205
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB RAM-Vergleiche
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link