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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gesamtnote
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
67
Rund um 61% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
14
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
67
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.0
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
8.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2330
1798
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB RAM-Vergleiche
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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