RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gesamtnote
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
73
Rund um 64% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.2
14
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
73
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.0
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
9.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2330
1843
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB RAM-Vergleiche
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link