RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
18.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,343.1
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
49
Rund um -145% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,135.8
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,343.1
14.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
843
3540
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link