RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
51
Rund um 22% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
51
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
11.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2097
2687
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB RAM-Vergleiche
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link