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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
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Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
41
Rund um -52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.2
14
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.2
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.0
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
10.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2324
2764
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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