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A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB vs Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
36
Rund um 42% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
10.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
21
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.0
12.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2771
3032
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
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