RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
31
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
9.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
9.9
Speicherbandbreite, mbps
17000
19200
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3019
2817
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link