RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
85
Rund um 65% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
85
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
11.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
6.0
Speicherbandbreite, mbps
17000
21300
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3019
1118
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link