RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
30
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.2
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.7
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
19.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
15.7
Speicherbandbreite, mbps
17000
21300
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3019
3400
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link