RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
19.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
56
Rund um -115% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.5
1,925.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,315.2
19.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,925.7
15.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
658
3832
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB RAM-Vergleiche
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Samsung M386B4G70DM0-YK04 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link