RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gesamtnote
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
56
Rund um -133% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.3
1,925.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,315.2
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,925.7
13.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
658
2923
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB RAM-Vergleiche
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Kingston 99U5474-025.A00LF 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link