RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
44
56
Rund um -27% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
1,925.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
44
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,315.2
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,925.7
14.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
658
3146
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB RAM-Vergleiche
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link