RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
56
Rund um -75% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
1,925.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,315.2
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,925.7
13.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
658
3322
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB RAM-Vergleiche
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link