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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
52
Rund um -136% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
1,145.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
4200
Rund um 5.07 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,614.5
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,145.9
12.2
Speicherbandbreite, mbps
4200
21300
Other
Beschreibung
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
409
2809
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM-Vergleiche
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
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