RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
52
Rund um -108% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
1,145.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
4200
Rund um 4.05 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,614.5
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,145.9
11.3
Speicherbandbreite, mbps
4200
17000
Other
Beschreibung
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
409
2847
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link