RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
52
Rund um -37% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
1,145.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
4200
Rund um 5.07 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,614.5
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,145.9
13.4
Speicherbandbreite, mbps
4200
21300
Other
Beschreibung
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
409
2792
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link