RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
52
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
1,145.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
4200
Rund um 4.05 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,614.5
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,145.9
11.5
Speicherbandbreite, mbps
4200
17000
Other
Beschreibung
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
409
2585
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link