RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
19.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
52
Rund um -108% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.3
1,145.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
4200
Rund um 4.05 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,614.5
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,145.9
16.3
Speicherbandbreite, mbps
4200
17000
Other
Beschreibung
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
409
3933
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link