RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
52
Rund um -136% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
1,145.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
4200
Rund um 5.07 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,614.5
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,145.9
13.4
Speicherbandbreite, mbps
4200
21300
Other
Beschreibung
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
409
3665
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link