RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gesamtnote
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
52
Rund um -58% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
1,145.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
4200
Rund um 5.07 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,614.5
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,145.9
11.9
Speicherbandbreite, mbps
4200
21300
Other
Beschreibung
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
409
3224
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link