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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gesamtnote
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
48
52
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
1,145.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
4200
Rund um 4.57 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
48
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,614.5
11.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,145.9
8.4
Speicherbandbreite, mbps
4200
19200
Other
Beschreibung
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
409
2466
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
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